X 線の波としての性質を利用して物質に入射して得られる回折強度分布を測定して
化合物の結晶 構造の同定・定量を行う分析装置です。
本装置は品質管理から先端材料開発での幅広い結晶性評価に利用可能です。
また、薄膜材料の残留 応力評価、微小部測定等にも対応可能です。
原理
本装置システムは X 線発生部、ゴニオメータ、光学系、検出器、位置調製用ビデオ顕微鏡で構成されます。
検出部には２次元 PSPCを搭載しており、短時間で広範囲・高精度なデータが得られます。
Ｘ線発生部： セラミックス封入型 Cu、Cr 管球（最大 3kW）
入射光学系：モノクロメーター、金属コリメータ、全反射コリメータ
検出器 ：2 次元 PSPC（読み取りピクセル数 1024×1024）
位置確認 ：レーザーとビデオ顕微鏡による位置調整
ステージ ：セントリックユーレリアンクレードルステージ（5 軸稼動χ、φ、X、Y、Z）
用 途 ：・結晶配向性評価
・長周期構造解析
・薄膜材料の結晶方位・選択配向評価
・残留応力解析（sin2φ法、2D 法）
・微小領域の定性分析（最小ビーム径φ20μｍ）
| 測定対象の材料 | Ga2O3のヘテロエピ薄膜及びコヒーレント薄膜 基板材料はSapphire、 AlN、 GaN、 SiCなど |
|---|---|
| 評価内容 | 結晶の面内・面外の配向関係 結晶歪み 等 |
| コメント | 2θ-ω、 φ、 RSM、 pole figure等の基本的なエピ膜評価は一通りできます。
特に、RSMは2次元検出器により高速で測定が可能です。 |
| 測定対象の材料 | NiO、GaN、NiOAGの成長膜 |
|---|---|
| 評価内容 | 結晶配向性 |
| 測定対象の材料 | ゾル・ゲルPZT薄膜 |
|---|---|
| 評価内容 | 結晶方位 |